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散乱蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法

散乱蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法

著者
佐々木裕次 [著]
原本の出版年月日
1991
製作者
国立国会図書館

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書誌情報

資料種別
博士論文
タイトル
散乱蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法
タイトルよみ
サンラン ケイコウ Xセン ノ クッセツ ゲンショウ オ リヨウシタ アタラシイ ヒョウメン ブンセキホウ
著者・編者
著者標目
出版年月日等
1991
出版年(W3CDTF)
1991
授与機関名
東北大学
授与年月日
平成3年3月28日
報告番号
甲第4428号
学位
工学博士
出版地(国名コード)
JP
NDLC
UT51
UT31
一般注記
博士論文
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3085678
コレクション(共通)
障害者向け資料
コレクション(障害者向け資料:レベル1)
コレクション(障害者向け資料:レベル2)
コレクション(個別)
国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
受理日(W3CDTF)
2011-12-05T14:05:03+09:00
記録形式(IMT)
image/jp2
デジタル化資料送信
図書館・個人送信対象
請求記号
UT51-91-L132
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション

目次

  • 目次

  • 第1章 序論

  • 1-1 X線(蛍光X線)による表面分析

    p6

  • 1-2 X線の屈折現象

    p8

  • 1-3 蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法の検討

    p10

  • 第2章 原理と実験方法

  • 2-1 X線の屈折率と全反射現象

    p15

  • 2-2 レーザを用いた表面ラフネスの測定原理

    p21

  • 2-3 X線の入射角

    p25

  • 2-4 蛍光X線の取り出し角

    p28

  • 2-5 試料薄膜の作製

    p29

  • 2-6 イオン・インプランテーション

    p30

  • 第3章 蛍光X線強度の取り出し角分布

  • 3-1 X線垂直入射による蛍光X線強度の取り出し角依存性

    p34

  • 3-2 全反射X線入射による蛍光X線強度の取り出し角依存性-I(基板に多結晶を用いた場合)

    p40

  • 3-3 全反射X線入射による蛍光X線強度の取り出し角依存性-II(基板に単結晶を用いた場合)

    p47

  • 3-4 MBE法により作製したGaAs超薄膜

    p58

  • 3-5 基板の表面ラフネス依存性

    p63

  • 3-6 蛍光X線の取り出し角強度分布の膜厚依存性

    p67

  • 3-7 コッセル線について

    p71

  • 3-8 まとめ

    p79

  • 第4章 屈折蛍光X線(RXF)の発生メカニズム

  • 4-1 水溶液滴下による成膜

    p83

  • 4-2 蛍光X線強度の取り出し角分布I(θt)の数式化

    p88

  • 4-3 パラメータとしての膜厚と表面ラフネス

    p100

  • 4-4 まとめ

    p103

  • 第5章 屈折蛍光X線(RXF)の応用

  • 5-1 Pb、Cu基板におけるI(θt)

    p106

  • 5-2 不連続膜から連続膜への変化

    p114

  • 5-3 Au/Mn系における表面反応

    p121

  • 5-4 蛍光X線の干渉効果(Kiessig's Fringes)

    p130

  • 5-5 新しい分光システム:RDS

    p143

  • 5-6 非破壊深さ分析

    p150

  • 5-7 有機薄膜の配向分析

    p171

  • 第6章 屈折蛍光X線(RXF)の定量化

  • 6-1 定量化のための2つの考察

    p182

  • 6-2 自己吸収効果の低減

    p193

  • 第7章 総論

  • 7-1 結論

    p199

  • 7-2 X線の屈折現象の行方

    p203