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半導体の電子線照射効果の理論的及び実験的研究

半導体の電子線照射効果の理論的及び実験的研究

著者
安田匡一郎 [著]
原本の出版年月日
1994
製作者
国立国会図書館

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書誌情報

資料種別
博士論文
タイトル
半導体の電子線照射効果の理論的及び実験的研究
タイトルよみ
ハンドウタイ ノ デンシセン ショウシャ コウカ ノ リロンテキ オヨビ ジッケンテキ ケンキュウ
著者・編者
著者標目
出版年月日等
1994
出版年(W3CDTF)
1994
授与機関名
名古屋工業大学
授与年月日
平成6年3月16日
報告番号
乙第65号
学位
博士 (工学)
出版地(国名コード)
JP
NDLC
UT51
一般注記
博士論文
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3076130
コレクション(共通)
障害者向け資料
コレクション(障害者向け資料:レベル1)
コレクション(障害者向け資料:レベル2)
コレクション(個別)
国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
受理日(W3CDTF)
2011-12-05T13:32:17+09:00
記録形式(IMT)
image/jp2
デジタル化資料送信
図書館・個人送信対象
請求記号
UT51-94-J494
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション

目次

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 本研究の背景と目的

    p1

  • 1.2 本研究の概要

    p6

  • 第1章の参考文献

    p8

  • 第2章 線型電子加速器と線量測定

    p11

  • 2.1 緒言

    p11

  • 2.2 線型電子加速器(電子リニアック)

    p12

  • 2.3 電子照射量の測定法

    p19

  • 2.4 照射電子線のパルス数制御装置

    p20

  • 2.5 結言

    p22

  • 第2章の参考文献

    p24

  • 第3章 SiCの電子線照射損傷とアニール特性

    p25

  • 3.1 緒言

    p25

  • 3.2 実験方法

    p26

  • 3.3 実験結果及び考察

    p28

  • 3.4 結言

    p39

  • 第3章の参考文献

    p41

  • 第4章 Si中の電子線照射による欠陥生成率

    p43

  • 4.1 緒言

    p43

  • 4.2 実験方法

    p44

  • 4.3 実験結果

    p45

  • 4.4 考察

    p47

  • 4.5 結言

    p58

  • 第4章の参考文献

    p59

  • 第5章 Si中の電子線照射による欠陥分布

    p61

  • 5.1 緒言

    p61

  • 5.2 実験方法

    p62

  • 5.3 実験結果

    p63

  • 5.4 考察

    p67

  • 5.5 結言

    p78

  • 第5章の参考文献

    p79

  • 第6章 モンテカルロシミュレーションによる欠陥の研究

    p81

  • 6.1 緒言

    p81

  • 6.2 モンテカルロ法による電子のエネルギースペクトルの計算

    p97

  • 6.3 欠陥分布の計算

    p100

  • 6.4 一次はじき出し原子のエネルギースペクトル

    p103

  • 6.5 非電離性エネルギー損失と損傷係数

    p107

  • 6.6 電子ビームドーピングにおけるはじき出し原子の挙動

    p110

  • 6.7 結言

    p115

  • 第6章の参考文献

    p117

  • 第7章 総括

    p120

  • 謝辞

    p123

  • 本研究に関する発表

    p124